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半導體製程高分子
傳統應用於導向自組裝 (DSA) 的嵌段共聚物，因交互作用參數 (χ) 過低，解析度受限於 20 奈米，難以滿足 Sub-10 nm 節點的製程需求。為縮小特徵尺寸，必須降低聚合物總鏈長 (N)。然而，為確保產生穩定的微相分離結構，必須滿足熱力學判據 χN > 10.5。因此，開發具備「高χ值」的新型材料以維持偏析強度，是克服新一代微影製程瓶頸的關鍵
在合成自組裝材料時，窄分散性 (PDI < 1.1) 是避免缺陷與相位錯位的關鍵。雖然傳統 ATRP 聚合能控制分散性，但其金屬催化劑殘留會對奈米電子元件造成致命缺陷。為此，我們採用可逆加成-斷裂鏈轉移 (RAFT) 聚合技術。此技術不僅能精確合成低聚合度、窄分散性的材料，其「無金屬殘留」的特性，更完全符合 CMOS 製程對純淨度的嚴苛標準，完美實現高χ值材料之奈米應用。
We welcome all the potential new graduate students, undergraduate students.
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實驗室/Lab (MOES building Room 5008)
學生辦公室/Student Office (MOES building Room 5018)
Prof. Chih-Kuang Chen (chihkuan@mail.nsysu.edu.tw )
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